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華太電子科創(chuàng)板IPO獲受理 擬募資27.81億元
2026-05-18 15:18:23
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平臺(tái)型半導(dǎo)體(881121)企業(yè)華太電子(600027)闖關(guān)IPO。

5月15日,上交所網(wǎng)站公告,蘇州華太電子(600027)技術(shù)股份有限公司(簡稱“華太電子(600027)”)科創(chuàng)板IPO獲受理,公司擬募資27.81億元。

華太電子(600027)成立于2010年,是具備半導(dǎo)體(881121)產(chǎn)業(yè)鏈底層核心技術(shù)自主可控能力、實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同布局的平臺(tái)型半導(dǎo)體(881121)企業(yè)。公司主要從事射頻業(yè)務(wù)、功率業(yè)務(wù)相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信基站、半導(dǎo)體(881121)裝備、衛(wèi)星通信、服務(wù)器電源、光伏發(fā)電與儲(chǔ)能(885921)新能源汽車(885431)、工業(yè)控制、智能終端、AI算力板卡等場(chǎng)景。

華太電子(600027)擁有硅基LDMOS射頻功放分立器件(884090)、RF LDMOS MMIC、GaN射頻功放分立器件(884090)與集成模組、碳化硅RugSiC功率器件與硅基超級(jí)結(jié)IGBT器件等原創(chuàng)核心技術(shù),全面覆蓋了半導(dǎo)體(881121)器件設(shè)計(jì)、集成電路設(shè)計(jì)、芯片應(yīng)用方案開發(fā)、晶圓制造工藝、封裝測(cè)試、封裝與散熱材料等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),具備產(chǎn)業(yè)鏈一體化和自主可控優(yōu)勢(shì)。

華太電子(600027)依托完善的底層技術(shù)體系,在半導(dǎo)體(881121)產(chǎn)業(yè)鏈中的多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域取得了關(guān)鍵成果突破,已推出采用空腔封裝的LDMOS及GaN射頻功放分立器件(884090)、RF LDMOS MMIC、RugSiC功率器件、超級(jí)結(jié)IGBT等多款產(chǎn)品,性能指標(biāo)已達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平。

現(xiàn)有產(chǎn)品基礎(chǔ)上,華太電子(600027)突破國外技術(shù)壟斷,率先推出最大功率可達(dá)3000瓦的射頻電源用射頻功放芯片,解決國產(chǎn)半導(dǎo)體(881121)裝備射頻電源用大功率射頻功放芯片的“卡脖子”問題,實(shí)現(xiàn)自主可控和技術(shù)趕超;同時(shí),公司不斷開拓新產(chǎn)品,已設(shè)計(jì)出新型氮化鎵射頻功放器件、新型碳化硅RugSiC功率器件、高性能mcu芯片(885925)、高精度電池管理芯片等新產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品間的戰(zhàn)略協(xié)同,為客戶提供一站式全套芯片解決方案。

華太電子(600027)聚焦國際知名大客戶,已與客戶A、中興通訊(000063)、愛立信(ERIC)、三星、客戶C等知名企業(yè)建立了穩(wěn)定的合作關(guān)系。

業(yè)績方面,2023年至2025年,華太電子(600027)實(shí)現(xiàn)營收11.26億元,7.07億元和7.26億元,凈利潤為-1.76億元,-3.18億元和-0.4億元。

就報(bào)告期內(nèi)尚未盈利的原因,華太電子(600027)表示,為完善產(chǎn)業(yè)鏈布局和提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,公司固定資產(chǎn)投入、期間費(fèi)用較高,但同期收入規(guī)模尚??;為實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品迭代升級(jí)與拓展,公司研發(fā)投入較高,在研項(xiàng)目轉(zhuǎn)化為收益需要一定周期(883436);公司為積累人才優(yōu)勢(shì)實(shí)施了較大規(guī)模的股權(quán)激勵(lì),股份支付費(fèi)用較高;因產(chǎn)業(yè)政策、規(guī)劃變更,公司子公司蘇州龍馳計(jì)提了較大金額的資產(chǎn)減值損失;因功率封測(cè)業(yè)務(wù)發(fā)展不及預(yù)期,公司對(duì)部分產(chǎn)線計(jì)提了較大金額的資產(chǎn)減值損失。

本次IPO,華太電子(600027)擬募資27.81億元,投入到超大功率LDMOS功放器件、射頻大功率氮化鎵功放器件、大功率單片射頻LDMOS MMIC、高集成射頻模組研發(fā)及應(yīng)用項(xiàng)目;全系列射頻大功率封測(cè)設(shè)計(jì)和工程平臺(tái)研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目;高性能功率芯片、配套芯片及應(yīng)用方案的研發(fā)及應(yīng)用項(xiàng)目;研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金。

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