中國(guó)上市公司網(wǎng)訊5月15日，上交所官網(wǎng)披露了蘇州華太電子（600027）技術(shù)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華太電子（600027）”或公司)首次公開(kāi)發(fā)行股票招股說(shuō)明書(shū)(申報(bào)稿)，公司IPO材料被正式受理。
據(jù)悉，華太電子（600027）本次發(fā)行股票數(shù)量不低于4,274.8500萬(wàn)股，占本次發(fā)行完成后股份總數(shù)的比例不低于10%，擬于上交所科創(chuàng)板上市，保薦機(jī)構(gòu)為華泰聯(lián)合證券。
公開(kāi)資料顯示，華太電子（600027）成立于2010年，是具備半導(dǎo)體（881121）產(chǎn)業(yè)鏈底層核心技術(shù)自主可控能力、實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同布局的平臺(tái)型半導(dǎo)體（881121）企業(yè)。公司主要從事射頻業(yè)務(wù)、功率業(yè)務(wù)相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信基站、半導(dǎo)體（881121）裝備、衛(wèi)星通信、服務(wù)器電源、光伏發(fā)電與儲(chǔ)能（885921）、新能源汽車(chē)（885431）、工業(yè)控制、智能終端、AI算力板卡等場(chǎng)景。公司歷經(jīng)十六年科研深耕、技術(shù)攻堅(jiān)與產(chǎn)業(yè)沉淀，突破了傳統(tǒng)半導(dǎo)體（881121）器件設(shè)計(jì)的底層桎梏，致力于半導(dǎo)體（881121）器件物理重大發(fā)現(xiàn)和半導(dǎo)體（881121）工藝技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體（881121）器件的原始創(chuàng)新設(shè)計(jì)，構(gòu)建起兼具原創(chuàng)性與差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的技術(shù)體系和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系，核心產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，形成了難以復(fù)制和逾越的技術(shù)壁壘。公司擁有硅基LDMOS射頻功放分立器件（884090）、RFLDMOSMMIC、GaN射頻功放分立器件（884090）與集成模組、碳化硅RugSiC功率器件與硅基超級(jí)結(jié)IGBT器件等原創(chuàng)核心技術(shù)，全面覆蓋了半導(dǎo)體（881121）器件設(shè)計(jì)、集成電路設(shè)計(jì)、芯片應(yīng)用方案開(kāi)發(fā)、晶圓制造工藝、封裝測(cè)試、封裝與散熱材料等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，具備產(chǎn)業(yè)鏈一體化和自主可控優(yōu)勢(shì)。公司依托完善的底層技術(shù)體系，在半導(dǎo)體（881121）產(chǎn)業(yè)鏈中的多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域取得了關(guān)鍵成果突破，已推出采用空腔封裝的LDMOS及GaN射頻功放分立器件（884090）、RFLDMOSMMIC、RugSiC功率器件、超級(jí)結(jié)IGBT等多款產(chǎn)品，性能指標(biāo)已達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平。
公司的長(zhǎng)期發(fā)展愿景為打造自主可控、高效可靠、具有差異化競(jìng)爭(zhēng)力優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體（881121）產(chǎn)品設(shè)計(jì)與制造交付平臺(tái)，成為全球領(lǐng)先的大功率射頻與功率半導(dǎo)體（881121）器件、芯片與解決方案供應(yīng)商。公司聚焦“萬(wàn)物互聯(lián)”和“新能源（850101）”兩大國(guó)家重點(diǎn)支持的戰(zhàn)略方向，通過(guò)提高通（QCOM）信系統(tǒng)效率和能源（850101）轉(zhuǎn)換效率，助力國(guó)內(nèi)龍頭客戶實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵半導(dǎo)體（881121）芯片和器件的供應(yīng)鏈安全，為國(guó)際知名客戶提供性能領(lǐng)先的產(chǎn)品。在現(xiàn)有產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基于戰(zhàn)略客戶的需求牽引和自身技術(shù)積累，公司突破國(guó)外技術(shù)壟斷，率先推出最大功率可達(dá)3000瓦的射頻電源用射頻功放芯片，解決國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體（881121）裝備射頻電源用大功率射頻功放芯片的卡脖子問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)自主可控和技術(shù)趕超;同時(shí)，公司不斷開(kāi)拓新產(chǎn)品，已設(shè)計(jì)出新型氮化鎵射頻功放器件、新型碳化硅RugSiC功率器件、高性能mcu芯片（885925）、高精度電池管理芯片等新產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品間的戰(zhàn)略協(xié)同，為客戶提供一站式全套芯片解決方案。
