截止10:09，上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)上漲4.3%，上證科創(chuàng)板芯片設計主題指數(shù)上漲5.1%。
根據(jù)DRAMexchange數(shù)據(jù)，DRAM現(xiàn)貨2025年大漲超410%，2026年以來持續(xù)大漲近120%，價格已創(chuàng)下歷史新高。中信證券（600030）研報指出，3月以來存儲價格再度上調(diào)，證明存儲行業(yè)景氣度維持高位，供不應求將持續(xù)至2027年，漲價貫穿2026年全年，堅定看好存儲產(chǎn)業(yè)趨勢。
從業(yè)績來看，存儲芯片（886042）產(chǎn)業(yè)未來業(yè)績有望整體受益，其中35家公司2026年一致預測凈利潤增幅超過20%，30家公司2027年一致預測凈利潤增幅超過20%。
科創(chuàng)芯片ETF易方達(589130，聯(lián)接A/C：020670/020671)跟蹤上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)，覆蓋科創(chuàng)板芯片核心資產(chǎn)，兼顧芯片設計、半導體設備（884229）和材料等環(huán)節(jié)；科創(chuàng)芯片設計ETF易方達(589030)跟蹤上證科創(chuàng)板芯片設計主題指數(shù)，聚焦芯片設計環(huán)節(jié)，數(shù)字芯片設計（884287）和模擬芯片設計（884288）合計占比近95%，助力投資者把握芯片板塊投資機遇。
