廣發(fā)證券（000776）發(fā)布研報稱，HBF在讀為主應用優(yōu)勢顯著，商業(yè)化進程加速。該技術有效填補了HBM與傳統(tǒng)固態(tài)硬盤之間的空白，為對容量和成本敏感的讀取密集型應用提供理想的解決方案。AI記憶持續(xù)擴展模型能力邊界，AIAgent等應用加速落地。AI記憶相關上游基礎設施價值量、重要性將不斷提升。建議關注產業(yè)鏈核心受益標的。
廣發(fā)證券（000776）主要觀點如下：
HBF是基于3DNAND的高帶寬堆疊存儲介質
HBF是一種基于NAND閃存的堆疊閃存技術，通過類似HBM的封裝/互連方式把多個NAND閃存芯片堆疊起來，形成兼具高帶寬和大容量的存儲層。
HBF在讀為主應用優(yōu)勢顯著
HBF定位介于HBM與SSD之間，面向AI推理場景，旨在提供更高容量擴展、更優(yōu)能效及更低總體擁有成本。(1)成本與容量優(yōu)勢：在相同的物理空間內，單個HBF堆?？商峁└哌_512GB的容量，較HBM提升一個數(shù)量級，顯著降低系統(tǒng)單位容量成本;(2)讀取帶寬高、能效高：根據(jù)Sandisk2025Investor Day數(shù)據(jù)顯示，首代HBF目標參數(shù)包括：16-die堆疊、單堆棧512GB容量，1.6TB/s讀取帶寬，讀取帶寬可接近HBM水平，同時由于無需DRAM持續(xù)刷新，其靜態(tài)功耗明顯更低;(3)寫入耐久性受限：HBF讀取側壽命約束相對較弱，而寫入/擦除壽命是主要限制，更適合承接讀多寫少、可預取的數(shù)據(jù)層，如共享KVCache中的部分歷史塊、以及部分權重/參數(shù)分片等;而時延最敏感、更新最頻繁的數(shù)據(jù)仍應優(yōu)先由HBM承接。整體來看，HBF有效填補了HBM與傳統(tǒng)固態(tài)硬盤之間的空白，為對容量和成本敏感的讀取密集型應用提供理想的解決方案。
HBF商業(yè)化進程正加速
根據(jù)trendforce數(shù)據(jù)，2025年8月，Sandisk宣布與SK hynix合作推進HBF標準化生態(tài)建設，根據(jù)SK hynix公眾號，2026年2月雙方宣布在OCP(開放計算項目)體系下，啟動下一代HBF全球標準化進程。根據(jù)trendforce數(shù)據(jù)，閃迪（SNDK）計劃于2026年下半年提供HBF模塊樣品，并于2027年初推出首批集成HBF的AI推理服務器;SK hynix在OCP2025上將HBF納入其AIN(AI-NAND)產品線中的AINB(Bandwidth（BAND）)方向;根據(jù)trendforce數(shù)據(jù)，三星電子于2025年開始對自家HBF產品的早期概念設計工作，顯示主流存儲廠商對該技術路徑的關注度持續(xù)提升。
風險提示
AI產業(yè)發(fā)展以及需求不及預期;AI服務器出貨量不及預期，國產廠商技術和產品進展不及預期。
